Anwendung von Aluminiumnitrid-Substraten
Aufgrund seiner hohen Wärmeleitfähigkeit und guten elektrischen Isolierung wurde AlN in der Mikroelektronikindustrie eingesetzt.
Oberflächenoxidation findet bereits bei Raumtemperatur an der Luft statt, die Aluminiumoxidschicht kann das Material jedoch bis zu 1370 °C schützen. Es stehen Metallisierungsverfahren zur Verfügung, mit denen Aluminiumnitrid ähnlich wie Aluminiumoxid und Berylliumoxid in elektronischen Anwendungen verwendet werden kann.
Die Härte von Aluminiumnitrid-Keramik ist sogar höher als die von Aluminiumoxid, der traditionellen technischen Keramik, was es zu einem idealen Material für Anwendungen macht, die eine gute Verschleißfestigkeit erfordern.
Vorteil von AlN-Keramik
* Very high thermal conductivity (>170 W/mK)
* High electrical insulation capacity (>1.1012Ωcm)
* Strength according to the double ring method >320 MPa (biaxiale Festigkeit)
* Geringe Wärmeausdehnung 4 bis 6x10-6K-1(zwischen 20 und 1000 Grad)
* Gute Metallisierungsfähigkeit
